磁控濺射技術的優缺點分析介紹
作者: 來源: 日期:2019-04-17 23:44:10 人氣:1391
磁(cí)控(kòng)濺射技術自(zì)誕生以來,得到了較快的發展和較廣(guǎng)的應用,對其他(tā)鍍膜方法的發展產生了很大的影響。通過大量的實踐,91香蕉视频污版下载真空總(zǒng)結出這種技術的(de)優缺點,如下文所示。
優點:
1.沉積速率高,襯(chèn)底溫升低,對薄膜損(sǔn)傷小;
2.對於大多數材料,隻要(yào)能製造出靶材(cái),就可以實現濺射;
3.濺射得到的薄膜與基(jī)底結合良好;
4.濺射得到的薄膜純度較高,密度好,均(jun1)勻性好;
5.結果表明,濺射工藝具有良好的重複性,在(zài)大麵積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜;
6.可以準確控製塗層厚度,通過改變參數來控製薄膜的(de)粒徑;
7.不同的金屬(shǔ)、合金和氧化物可以混合,同時濺射在基體上;
8.易於工業化。
但是磁控濺射也存在一些問題
1.該技術所使用的(de)環形磁場迫使(shǐ)次級電子圍繞環(huán)形磁場跳躍。因此,由環形磁場控製的區域是等離子體密度較高的區域。在該技術中,我們可以看到濺(jiàn)射氣體氬在(zài)這一區域發出強烈的淡藍(lán)色光芒,形成光暈。光暈(yūn)下的靶是離子轟擊比較(jiào)嚴重的部分,它會濺出一個圓形(xíng)的溝槽。環形磁場是電子運(yùn)動(dòng)的軌道,環形輝光和溝槽生動地表現了這一點(diǎn)。靶材的濺射槽一(yī)旦(dàn)穿透(tòu)靶材,整個靶材(cái)就會(huì)報廢,靶材利用率不高,一般低於40%;
2.等離(lí)子(zǐ)體不穩定;
3.由於基本的磁通量均不能通過磁性靶,所以在靶麵附近不可能產(chǎn)生外(wài)加磁場。