電子（zǐ）在電場的作用（yòng）下加速飛向（xiàng）基片（piàn）的過程中與氬原（yuán）子（zǐ）發生（shēng）碰撞,電離出大量的氬離（lí）子和電子,電（diàn）子飛向基片.氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的（de）靶材原（yuán）子,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜.二次電子在（zài）加速飛向基片的過程中受到（dào）磁場洛侖磁力的影響,被束縛在*近靶（bǎ）麵的等（děng）離（lí）子體（tǐ）區域（yù）內,該區域內（nèi）等離子（zǐ）體密度很高,二（èr）次電子在（zài）磁場的作用下圍繞靶麵（miàn）作圓周（zhōu）運動,該電子（zǐ）的運動路徑很（hěn）長,在運動過程中不（bú）斷的與（yǔ）氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶（bǎ）材,經過多次碰撞後（hòu）電子的能量逐漸（jiàn）降低,擺（bǎi）脫（tuō）磁力線的束縛,遠離（lí）靶材,最終沉積在基片上.

        磁控（kòng）濺射就是以磁（cí）場束縛和延長（zhǎng）電子的（de）運動路徑（jìng）,改變電子的運動方向（xiàng）,提高（gāo）工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是（shì）基片,真空（kōng）室內壁及靶源陽極也是電（diàn）子歸宿.但一般（bān）基片與真空室及陽極在（zài）同一電勢.磁場與（yǔ）電場的（de）交（jiāo）互作用（E X B shift）使單個電子軌跡（jì）呈三（sān）維螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓周運動.至於靶麵圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形（xíng）狀.磁力線分布方向不同會對成膜有很大關係.

       在（zài）E X B shift機理下工作的不光（guāng）磁控（kòng）濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次原理下工作.所不同的是電場方向,電壓（yā）電流大小而已.