射頻磁控濺射(shè)
作者: 來(lái)源: 日期:2021-04-26 8:57:00 人氣:2466
用來進行(háng)介質(zhì)膜的濺射,如在玻璃上(shàng)鍍ITO膜之(zhī)前需鍍(dù)上一層SiO2擴散隔離層,該SiO2膜(mó)就(jiù)是采用射(shè)頻濺(jiàn)射。
通常在濺射過程(chéng)中輝光放電中的離子撞擊到陰極時,會與陰極的電(diàn)子中和,是的濺射現象可(kě)以繼續進行。
但若靶(bǎ)材(cái)本身不導電的話,離子撞擊到靶材上沒有(yǒu)電子中和,
正(zhèng)電荷(hé)一(yī)直累積,使與後來的離子排斥,這會造成取代直流電源,使可解(jiě)決(jué)此(cǐ)離子撞擊現象的停頓。